特許
J-GLOBAL ID：200903080132818311
3-5族化合物半導体の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
久保山 隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-213280
公開番号（公開出願番号）：特開平9-097921
出願日： 1995年08月22日
公開日（公表日）： 1997年04月08日
要約：
【要約】【課題】発光素子の輝度、発光効率を高めることができ、発光素子の製造歩留りを向上できる均一性に優れ高品質の3-5族化合物半導体の製造方法を提供する。【解決手段】一般式In<SB>x </SB>Ga<SB>y </SB>Al<SB>z </SB>N(ただし、x+y+z=1,0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表される3-5族化合物半導体を、3族有機金属化合物と分子中にNを有する化合物とを原料とし、有機金属気相成長法により反応管内で成長させて製造する方法において、該3-5族化合物半導体を成長させる前に一般式Ga<SB>a </SB>Al<SB>b </SB>N(ただし、a+b=1、0<a≦1、0≦b<1)で表される第1の層を500Å/分以下の成長速度で形成し、次に第1の層の成長温度以下の温度で該3-5族化合物半導体を成長させる工程を含むことを特徴とする3-5族化合物半導体の製造方法。
請求項（抜粋）：
一般式In<SB>x </SB>Ga<SB>y </SB>Al<SB>z </SB>N(ただし、x+y+z=1,0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表される3-5族化合物半導体を、3族有機金属化合物と分子中にNを有する化合物とを原料とし、有機金属気相成長法により反応管内で成長させて製造する方法において、該3-5族化合物半導体を成長させる前に一般式Ga<SB>a </SB>Al<SB>b </SB>N(ただし、a+b=1、0<a≦1、0≦b<1)で表される第1の層を500Å/分以下の成長速度で形成し、次に第1の層の成長温度以下の温度で該3-5族化合物半導体を成長させる工程を含むことを特徴とする3-5族化合物半導体の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 33/00 C
, H01L 21/205
