半導体装置及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-267680
公開番号（公開出願番号）：特開2002-158187
出願日： 2001年09月04日
公開日（公表日）： 2002年05月31日
要約：

【要約】【課題】銅の酸化が抑制され且つ簡略化されたプロセスで製造可能な銅を含有した導電層を含む半導体装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の半導体装置は、半導体基板2と前記半導体基板2上の導電層14とを具備し、前記導電層14は銅を含有し、前記導電層14の表面領域はC-H結合及びC-C結合の少なくとも一方を含み、前記表面領域中でC-H結合を形成しているC原子とC-C結合を形成しているC原子との合計量は前記表面領域中の元素の総量の30原子%以上である。

請求項（抜粋）：

半導体基板と前記半導体基板上の導電層とを具備し、前記導電層は銅を含有し、前記導電層の表面領域はC-H結合及びC-C結合の少なくとも一方を含み、前記表面領域中でC-H結合を形成しているC原子とC-C結合を形成しているC原子との合計量は前記表面領域中の元素の総量の30原子%以上である半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/28 , H01L 21/28 301 , H01L 21/3205

FI (4件)：

H01L 21/28 B , H01L 21/28 K , H01L 21/28 301 Z , H01L 21/88 M

Fターム (46件)：

4M104BB04 , 4M104BB39 , 4M104CC01 , 4M104DD17 , 4M104DD37 , 4M104DD55 , 4M104DD65 , 4M104DD75 , 4M104DD77 , 4M104DD78 , 4M104DD81 , 4M104DD89 , 4M104EE20 , 4M104FF16 , 4M104FF22 , 4M104HH08 , 4M104HH15 , 4M104HH20 , 5F033HH11 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033LL01 , 5F033MM25 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP15 , 5F033QQ00 , 5F033QQ09 , 5F033QQ13 , 5F033QQ14 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ53 , 5F033QQ59 , 5F033QQ73 , 5F033QQ76 , 5F033QQ79 , 5F033RR01 , 5F033RR06 , 5F033SS22 , 5F033VV07 , 5F033XX09 , 5F033XX12 , 5F033XX17 , 5F033XX20 , 5F033XX33

引用特許：

出願人引用 (5件)

特開平4-064233
特開平4-350937
集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-288965 出願人：川崎製鉄株式会社

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審査官引用 (6件)

特開平4-350937
特開平4-064233
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-320934 出願人：日本電気株式会社

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