特許
J-GLOBAL ID:200903002539768954

統合又は独立計測を用いる改善されたウェーハ均一性のための処理制御方法及び装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 伊東 忠彦 ,  大貫 進介 ,  伊東 忠重
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-547237
公開番号(公開出願番号):特表2007-517400
出願日: 2004年12月17日
公開日(公表日): 2007年06月28日
要約:
ウェーハ全体に亘る高寸法均一性を得るように後続半導体処理段階を制御するためにウェーハにおいて複数の位置を測定する方法及び装置を提供する。その方法及び装置は、処理寸法マップを作成するように複数の位置において特徴の寸法をマッピングし、寸法マップを処理パラメータマップに変換し、そして、その特定のウェーハに対して後続処理段階を調節するように処理パラメータマップを用いる。ウェーハはまた、目的の出力と実際の出力とを比較するために処理後に測定され、その差分は、後続のウェーハのために寸法マップから処理パラメータマップへの変換を改善するように用いられる。
請求項(抜粋):
ウェーハの処理を制御するための方法であって: ウェーハにおける複数の特徴の寸法マップを決定する段階; 前記寸法マップから処理パラメータマップを決定する段階;及び 前記処理パラメータマップに従って前記ウェーハを処理する段階; を有することを特徴とする方法。
IPC (1件):
H01L 21/66
FI (2件):
H01L21/66 J ,  H01L21/66 A
Fターム (13件):
4M106AA01 ,  4M106BA04 ,  4M106CA31 ,  4M106CA39 ,  4M106CA48 ,  4M106DA15 ,  4M106DB03 ,  4M106DB30 ,  4M106DJ17 ,  4M106DJ18 ,  4M106DJ19 ,  4M106DJ20 ,  4M106DJ38
引用特許:
審査官引用 (4件)
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