特許
J-GLOBAL ID：200903002549793990
熱電素子およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
杉山 猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-340263
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156343
出願日： 1999年11月30日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：
【要約】【課題】 スケルトン構造を有する熱電素子において、この熱電素子に取り付けて使用するヒートシンク等に個別に熱良導性電気絶縁薄膜を設けることを不要にする。【解決手段】 上側電極4の上面には上側熱良導性電気絶縁薄膜6が接合され、下側電極3の下面には下側熱良導性電気絶縁薄膜5が接合されている。そして、上側熱良導性電気絶縁薄膜6の上面には上側銅薄膜8が接合され、下側熱良導性電気絶縁薄膜5の下面には下側銅薄膜7が接合されている。この熱電素子を使用する際には、上側銅薄膜8および下側銅薄膜7にヒートシンク等を取り付ける。電極3,4とヒートシンクとの間は熱良導性電気絶縁薄膜5,6により電気的に絶縁されているため、ヒートシンク等に個別に熱良導性電気絶縁薄膜を設ける必要はない。
請求項（抜粋）：
p型熱電半導体素子およびn型熱電半導体素子と、前記p型熱電半導体素子およびn型熱電半導体素子の第1の面に接合された第1の金属電極と、前記p型熱電半導体素子およびn型熱電半導体素子の第2の面に接合された第2の金属電極と、前記第1の金属電極または前記第2の金属電極の少なくとも一方に接合された熱良導性電気絶縁薄膜とを備えたことを特徴とする熱電素子。
引用特許：
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