半導体レーザ装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：安富耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-259654
公開番号（公開出願番号）：特開平10-107372
出願日： 1996年09月30日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：

【要約】【課題】戻りレーザ光の反射を防止することができる半導体レーザ装置の提供と、戻りレーザ光反射防止加工を簡単に、かつ短時間で行うことができる製造方法の提供を課題とする。【解決手段】半導体レーザ素子3と、半導体レーザ素子3を固定するサブマウント7を備え、半導体レーザ素子3とサブマウント7のレーザ出光点8側に位置する端面3a,7aに外部レーザ光を照射して戻りレーザ光の反射防止加工領域3b,7bを形成した。また、半導体レーザ素子3と、半導体レーザ素子3を固定するサブマウント7と、これらを密閉収納するパッケージ2を備える半導体レーザ装置1を製造する際に、パッケージ2に設けられたレーザ光出射用の窓11を介して外部からレーザ光Lを照射することにより、半導体レーザ素子3若しくはサブマウント7に戻りレーザ光の反射防止加工を施すことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

出光点側の端面にレーザ光を照射して戻りレーザ光の反射防止加工を施した半導体レーザ素子を備えることを特徴とする半導体レーザ装置。

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開平1-161792
半導体レーザ装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-276932 出願人：松下電子工業株式会社
特開平2-084786

全件表示

前のページに戻る