特許

J-GLOBAL ID：200903002581152971

高耐圧電界効果型半導体装置

発明者： 西脇 克彦 ,  櫛田 知義 ,  河路 佐智子
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社豊田中央研究所
代理人 (3件)： 岡戸 昭佳 ,  富澤 孝 ,  山中 郁生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-049035
公開番号（公開出願番号）：特開2004-259934
出願日： 2003年02月26日
公開日（公表日）： 2004年09月16日
要約：

【課題】ドリフト領域の厚さを増すことなく半導体基板内の電界を緩和し,オン電圧やスイッチオフ特性,コンパクト性等の犠牲なく高耐圧化を達成した高耐圧電界効果型半導体装置を提供すること。【解決手段】半導体基板の一面(図中上方の面)側にエミッタ領域100,104やゲート電極106などを設け,他面(図中の下方の面)側にコレクタ領域101等を設けた構造の電界効果型半導体装置において,ゲート電極106に対面するpボディ領域103と,その下方のnドリフト領域102との間に,低不純物濃度のn- 電界分散領域111を設けた。これにより,コレクタ-エミッタ間の電界が緩和されるので,高耐圧の電界効果型半導体装置が得られた。nドリフト領域102とその下方のp+ コレクタ領域101との間にも電界分散領域を設けることができる。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

半導体基板中のボディ領域と, 前記ボディ領域に対面するゲート電極と, 半導体基板中の前記ボディ領域より下方に位置し,前記ボディ領域とは逆導電型のドリフト領域と, 前記ボディ領域と前記ドリフト領域との間に位置し,前記ドリフト領域と同じ導電型でこれより低不純物濃度の電界分散領域とを有することを特徴とする高耐圧電界効果型半導体装置。

IPC (1件)：

H01L29/78

FI (3件)：

H01L29/78 652H ,  H01L29/78 652F ,  H01L29/78 653A

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置およびその製造方法。
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-286912   出願人：セイコーインスツルメンツ株式会社
• 電界効果トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-202595   出願人：シリコニックス・インコーポレイテッド