特許
J-GLOBAL ID：200903002613807231

単一電子装置およびその製造方法

発明者：
中島 安理

中島 安理 について

, 
堀口 直人

堀口 直人 について

, 
中尾 宏

中尾 宏 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-159281
公開番号（公開出願番号）：特開平11-195780
出願日： 1998年06月08日
公開日（公表日）： 1999年07月21日
要約：
【要約】【課題】 金属ナノクリスタルを含む単一電子半導体装置の製造において、前記金属ナノクリスタルを、絶縁膜中の所定の深さに、単層の二次元配列として形成する。【解決手段】 Si基板上に形成された絶縁膜中に、イオン注入法により金属イオンを、前記金属イオンが前記基板にまで到達しないような低い加速エネルギで打ち込み、高温でアニールする。
請求項（抜粋）：
導電性基板と、前記導電性基板上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜中に、前記基板と前記絶縁膜との界面に実質的に平行に形成された、ナノメートルサイズの径を有する複数の導電性粒子と、前記絶縁膜上に形成された電極とよりなる単一電子装置において、前記複数の導電性粒子は互いに略等しい大きさを有し、前記絶縁膜中で、実質的に同一平面上に配列していることを特徴とする単一電子装置。
IPC (6件)：
H01L 29/66 ,  H01L 21/265 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (5件)：
H01L 29/66 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 21/265 Y ,  H01L 21/265 Z ,  H01L 29/78 371
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (4件)
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引用文献：
出願人引用 (1件)

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