特許
J-GLOBAL ID：200903002637784186
ドライエッチング装置、そのドライエッチング装置を用いた半導体装置の製造方法、および、その製造方法により製造された半導体装置、ならびに、ドライエッチング装置に用いられる電極の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-218962
公開番号（公開出願番号）：特開2003-031560
出願日： 2001年07月19日
公開日（公表日）： 2003年01月31日
要約：
【要約】【課題】 エッチングレートの位置によるばらつきが低減されたドライエッチング装置、そのドライエッチング装置を用いた半導体装置の製造方法、および、その製造方法により製造された半導体装置、ならびに、ドライエッチング装置に用いられるドライエッチング装置の電極の製造方法を提供する。【解決手段】 回転ステージの研磨用の表面に研磨材を置いて、研磨材を介して回転ステージの研磨用の表面にカソード電極4となる部材の表面を対向させて配置し、回転ステージの回転により電極となる部材の表面を研磨することにより、カソード電極の表面に形成される凹凸による段差のばらつきの最大の差が5μm以下であるカソード電極を製造する。このカソード電極をドライエッチング装置のカソード電極4に用いて半導体装置のエッチング工程を実施する。
請求項（抜粋）：
一対の電極間でプラズマを発生させて、該プラズマにより被エッチング材をエッチングするためのドライエッチング装置であって、前記電極の表面に形成された凹凸による段差の最大値と最小値との差が5μm以下である、ドライエッチング装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H05H 1/46 M
, H01L 21/302 C
5F004AA01
, 5F004BA06
, 5F004DB01
