特許
J-GLOBAL ID：200903002639496005
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-146563
公開番号（公開出願番号）：特開平9-307097
出願日： 1996年05月16日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：
【要約】【課題】 実効的にGaN層に対して電極を低接触抵抗でオーミック接触させる。【解決手段】 GaN MESFETにおいて、チャネル層としてのn型GaN層13上にn型GaInNコンタクト層14を介してソース電極17およびドレイン電極18を設け、n型GaInNコンタクト層14にオーミック接触させる。n型GaInNコンタクト層14は、MOCVD法によりn型GaN層13上に選択成長させる。
請求項（抜粋）：
GaN層と、上記GaN層上の、上記GaN層と電気的に接続された電極とを有する半導体装置において、上記GaN層と上記電極との間に、少なくともGa、InおよびNを含む半導体層が設けられ、上記半導体層に上記電極がオーミック接触していることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/43
, H01L 21/28 301
, H01L 21/338
, H01L 29/812
H01L 29/46 H
, H01L 21/28 301 H
, H01L 29/80 F
