特許
J-GLOBAL ID：200903002658924972

バリアメタル膜の形成方法

発明者：
田中 啓一

田中 啓一 について

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樋爪 俊一

樋爪 俊一 について

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横山 靖典

横山 靖典 について

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島川 真由美

島川 真由美 について


出願人/特許権者：
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-387281
公開番号（公開出願番号）：特開2002-203813
出願日： 2000年12月20日
公開日（公表日）： 2002年07月19日
要約：
【要約】【課題】 SiO2膜が成膜された半導体ウェハ上にW膜を成膜する場合に形成される、Ti膜及びTiN膜からなるバリアメタル膜のバリアメタル膜の密着性を改善するための手段を提供すること。【解決手段】 半導体ウェハ1上にTi膜6をプラズマCVD法により成膜し、次いで、処理チャンバ内にN2、H2及びArからなる処理ガスを導入し、プラズマにより処理ガスを解離させてTi膜の表面処理を行い、その後、TiN膜7を熱CVD法により成膜することとし、更に、Ti膜の膜厚が所定値を越える場合に、Arガス及びH2ガスの導入量を、Ti膜の膜厚が所定値である場合に導入されるArガス及びH2ガスの導入量よりも多くすることを特徴とする。これにより、バリアメタル膜5の膜剥がれが防止される。
請求項（抜粋）：
シリコン酸化膜が成膜された半導体ウェハ上に金属膜を成膜する場合に、チタン膜及び窒化チタン膜からなる混合膜をバリアメタル膜として形成する方法において、前記チタン膜をプラズマCVD法により成膜する第1ステップと、前記第1ステップの後、前記半導体ウェハが配置された処理チャンバ内に窒素ガス、水素ガス及びアルゴンガスからなる処理ガスを導入し、プラズマにより前記処理ガスを解離させて前記チタン膜の表面処理を行う第2ステップと、前記第2ステップの後、前記窒化チタン膜を熱CVD法により成膜する第3ステップとを含み、前記チタン膜の膜厚が所定値を越える場合に、前記アルゴンガスの導入量を、前記チタン膜の膜厚が前記所定値である場合に導入される前記アルゴンガスの導入量よりも多くすることを特徴とするバリアメタル膜の形成方法。
IPC (5件)：
H01L 21/285 301 ,  H01L 21/285 ,  C23C 16/14 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/3205
FI (5件)：
H01L 21/285 301 R ,  H01L 21/285 C ,  C23C 16/14 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/88 R
Fターム (40件)：
4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030BA18 ,  4K030BA20 ,  4K030BA38 ,  4K030CA04 ,  4K030FA01 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030JA01 ,  4K030JA05 ,  4K030LA15 ,  4M104BB14 ,  4M104DD43 ,  4M104DD86 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104HH08 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033MM08 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP01 ,  5F033PP04 ,  5F033PP06 ,  5F033PP12 ,  5F033QQ90 ,  5F033RR04 ,  5F033WW02 ,  5F033WW06 ,  5F033XX13
引用特許：
審査官引用 (4件)
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