特許
J-GLOBAL ID：200903002660831663

パターン形成方法

発明者：
岸村 眞治

岸村 眞治 について

, 
勝山 亜希子

勝山 亜希子 について

, 
笹子 勝

笹子 勝 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-169000
公開番号（公開出願番号）：特開2002-049153
出願日： 2000年06月06日
公開日（公表日）： 2002年02月15日
要約：
【要約】【課題】 露光光として1nm帯〜30nm帯又は110nm帯〜180nm帯の波長を持つ光を用いてレジストパターンを形成する場合に、良好なパターン形状が得られるようにする。【解決手段】 パターン形成材料は、[化1]の一般式で表わされるユニットを含むベース樹脂を有している。【化1】但し、[化1]の一般式において、R0 はアルキル基であり、R1 は光が照射されると分解する基であり、R3 及びR4 は、同種又は異種であって、水素又は水素及び炭素を含む化合物である。
請求項（抜粋）：
[化1]の一般式で表わされるユニットを含むベース樹脂を有するパターン形成材料。【化1】但し、[化1]の一般式において、R0 はアルキル基であり、R1 は光が照射されると分解する基であり、R3 及びR4 は、同種又は異種であって、水素又は水素及び炭素を含む化合物である。
IPC (6件)：
G03F 7/039 601 ,  C08F 12/22 ,  C08K 5/00 ,  C08L 25/18 ,  G03F 7/004 503 ,  H01L 21/027
FI (6件)：
G03F 7/039 601 ,  C08F 12/22 ,  C08K 5/00 ,  C08L 25/18 ,  G03F 7/004 503 A ,  H01L 21/30 502 R
Fターム (33件)：
2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025FA03 ,  2H025FA17 ,  4J002BC121 ,  4J002BC131 ,  4J002BG071 ,  4J002EV296 ,  4J002GP03 ,  4J002HA01 ,  4J100AB07P ,  4J100AB07Q ,  4J100AL03P ,  4J100AL08P ,  4J100BA02P ,  4J100BA02Q ,  4J100BA03P ,  4J100BA06Q ,  4J100BC09P ,  4J100BC53P ,  4J100CA04 ,  4J100CA31 ,  4J100HA09 ,  4J100HE20 ,  4J100HE26 ,  4J100JA38
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (3件)

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