特許
J-GLOBAL ID:200903002676488551

基板の処理方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 金本 哲男 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-012810
公開番号(公開出願番号):特開2003-218006
出願日: 2002年01月22日
公開日(公表日): 2003年07月31日
要約:
【要約】【課題】 レジスト液供給機構において,各目的に応じたレジスト液のダミーディスペンスを行う。【解決手段】 主制御装置85に,目的の異なる各ダミーディスペンスD1〜D4毎にレジスト液の吐出量と開始条件を設定する。ダミーディスペンスD1〜D4に順位を定め,ダミーディスペンスD1を順位?@にダミーディスペンスD2を順位?Aにする。ダミーディスペンスD3及びD4は,他のダミーディスペンスD1,D2の開始条件と独立した独立順位に定める。ダミーディスペンスD1が行われた場合,ダミーディスペンスD1とそれより順位の低いダミーディスペンスD2の開始条件のカウントがリセットされる。ダミーディスペンスD2が行われた場合,ダミーディスペンスD2の開始条件のみがリセットされる。ダミーディスペンスD3又D4が行われた場合,当該ダミーディスペンスの開始条件のみがリセットされる。
請求項(抜粋):
基板に処理液を供給する基板処理が複数の基板に対して次々と行われる基板の処理方法であって,前記基板処理が次々に行われる中で,目的の異なる複数のダミーディスペンスが処理の合間に行われ,前記各ダミーディスペンス毎に,処理液の吐出量等のレシピやダミーディスペンスの開始条件が定められていることを特徴とする,基板の処理方法。
IPC (2件):
H01L 21/027 ,  G03F 7/16 502
FI (3件):
G03F 7/16 502 ,  H01L 21/30 564 C ,  H01L 21/30 562
Fターム (8件):
2H025AA00 ,  2H025AA18 ,  2H025AB16 ,  2H025EA05 ,  2H025EA10 ,  5F046JA01 ,  5F046JA04 ,  5F046JA16
引用特許:
出願人引用 (4件)
  • 基板処理装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平8-185071   出願人:大日本スクリーン製造株式会社
  • 特開平3-296213
  • 処理装置および処理方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平10-153907   出願人:東京エレクトロン株式会社
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審査官引用 (1件)
  • 基板処理装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平8-185071   出願人:大日本スクリーン製造株式会社

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