特許
J-GLOBAL ID：200903002719776564
プラズマ処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八木田 茂 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-197525
公開番号（公開出願番号）：特開平9-045495
出願日： 1995年08月02日
公開日（公表日）： 1997年02月14日
要約：
【要約】【課題】 真空シール性を損なったり、放電管の温度を上昇させることなく、単位時間当りの基板処理能力を大きくすること。【解決手段】 プラズマ処理装置の一つであるプラズマアッシング装置1Aは、真空処理室10と、マイクロ波を伝送する導波管30と、導波管30を貫通して一端はプラズマ生成用のガスの供給口に接続され、他端は真空処理室10へ挿入された放電管20とを備え、真空処理室10において、ガスの流れを基板11上に導くように、該基板11の上方を囲むようにして円筒形の壁41を取付け、基板11に対して、ガスを壁41の中を流すことによってガスの不要な拡散を阻止している。【効果】 基板11に対してガスを有効に作用させ、単位時間当りの基板処理能力を向上させる。
請求項（抜粋）：
プラズマ処理されるべき基板を収容するための真空処理室と、一端はプラズマ生成用のガスの供給口とされ、他端は前記真空処理室へ挿入された放電管とを備えたプラズマ処理装置において、前記真空処理室内に載置された基板に対し、該基板を囲む状態でガスの不要な拡散を阻止する壁を設けたことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (5件)：
H05H 1/46
, C23C 16/50
, C23F 4/00
, H01L 21/203
, H01L 21/3065
H05H 1/46 B
, C23C 16/50
, C23F 4/00 A
, H01L 21/203 S
, H01L 21/302 B
