特許

J-GLOBAL ID：200903002726042649

共振デバイスの製造方法

発明者： 中谷 将也 ,  多鹿 博文
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-240134
公開番号（公開出願番号）：特開2004-079869
出願日： 2002年08月21日
公開日（公表日）： 2004年03月11日
要約：

【課題】目標とする共振周波数および離調周波数に調整できる共振デバイスの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】シリコン基板に圧電体3および電極を形成する工程と、この圧電体3および電極をフォトリソグラフィーによりパターンを形成する工程と、シリコン基板をエッチングして構造体1を形成する工程と、この構造体1の少なくとも一面に保護膜を形成する工程と、この保護膜が形成されていない面をエッチングする工程とを含む共振デバイスの製造方法であり、保護膜の形成により厚み方向のエッチングを共振周波数の測定をしながら高精度な加工ができ、所定の離調周波数に調整できる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

シリコン基板に圧電体および電極を形成する工程と、この圧電体および電極をフォトリソグラフィーによりパターンを形成する工程と、シリコン基板をエッチングして構造体を形成する工程と、この構造体の少なくとも一面に保護膜を形成する工程と、この保護膜が形成されていない面をエッチングする工程とを含む共振デバイスの製造方法。

IPC (5件)：

H01L41/22 ,  G01C19/56 ,  G01P9/04 ,  H01L41/08 ,  H03H3/02

FI (6件)：

H01L41/22 Z ,  G01C19/56 ,  G01P9/04 ,  H03H3/02 D ,  H01L41/08 D ,  H01L41/08 Z

Fターム (16件)：

2F105BB02 ,  2F105BB14 ,  2F105BB15 ,  2F105CC01 ,  2F105CD02 ,  2F105CD06 ,  5J108AA02 ,  5J108CC06 ,  5J108EE03 ,  5J108EE06 ,  5J108FF06 ,  5J108HH03 ,  5J108HH04 ,  5J108KK05 ,  5J108MM11 ,  5J108MM15

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 角速度センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-351998   出願人：株式会社村田製作所
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-265983   出願人：富士通株式会社
• 特開平2-187025
  

審査官引用 (3件)

• 角速度センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-351998   出願人：株式会社村田製作所
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-265983   出願人：富士通株式会社
• 特開平2-187025