特許
J-GLOBAL ID：200903002728268504
エッチング装置及び半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-084645
公開番号（公開出願番号）：特開平11-279778
出願日： 1998年03月30日
公開日（公表日）： 1999年10月12日
要約：
【要約】【課題】反応室の周辺部のエッチングガス密度が中央部よりも高くなって、基板の周辺部の方が基板の中央部に比べてエッチング速度が速くなり、その結果、基板の中央部にとって最適な条件でエッチングを行なうと周辺部では過剰エッチングとなり、基板の周辺部にとって最適な条件でエッチングを行なうと中央部ではエッチング不良となる問題点があった。【解決手段】 ドライエッチング装置のシャワーヘッドに設けられる単位面積当たりのガス噴出孔の開口面積が基板中央部よりも周辺部の方が小さくなるようにした。
請求項（抜粋）：
反応室と、該反応室内にエッチングガスを導入する複数のガス噴出孔を有するシャワーヘッドとを備えたエッチング装置において、上記シャワーヘッドは、単位面積当たりのガス噴出孔の開口面積が反応室中央部よりも周辺部の方が小さくなるように形成されていることを特徴とするエッチング装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23F 4/00 C
, H01L 21/302 B
