特許
J-GLOBAL ID：200903002762248040
多結晶SiGe薄膜トランジスタ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-072584
公開番号（公開出願番号）：特開平9-008319
出願日： 1996年03月27日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：
【要約】【課題】 高性能の多結晶SiGe薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明にかかる薄膜トランジスタは、アクティブ領域とゲート26とを有し、そのアクティブ領域が多結晶Si1-x Gex 合金材料層20とシリコンのチャネル層21とを含んでおり、そのシリコンのチャネル層21が多結晶Si1-x Gex 合金材料層20とゲート26との間に形成されている薄膜トランジスタである。また本発明は更に、かかる高性能の薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
請求項（抜粋）：
アクティブ領域とゲートとを有する薄膜トランジスタであって、前記アクティブ領域が多結晶Si1-x Gex 合金材料層とシリコンのチャネル層とを含んでおり、前記シリコンのチャネル層が前記多結晶Si1-x Gex 合金材料層と前記ゲートとの間に形成されており、前記xの範囲が0.05〜0.40原子%であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 29/78 618 B
, H01L 21/20
, H01L 29/78 618 E
