特許

J-GLOBAL ID：200903002762248040

多結晶SiGe薄膜トランジスタ及びその製造方法

発明者： 野口 隆 ,  ラファエル ライフ ,  ジュリー ツァイ ,  アンドリュー ジェイ タン
出願人/特許権者： ソニー株式会社 ,  マサチューセッツ インスティテュート オブ テクノロジー
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-072584
公開番号（公開出願番号）：特開平9-008319
出願日： 1996年03月27日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：

【要約】【課題】 高性能の多結晶SiGe薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明にかかる薄膜トランジスタは、アクティブ領域とゲート26とを有し、そのアクティブ領域が多結晶Si1-x Gex 合金材料層20とシリコンのチャネル層21とを含んでおり、そのシリコンのチャネル層21が多結晶Si1-x Gex 合金材料層20とゲート26との間に形成されている薄膜トランジスタである。また本発明は更に、かかる高性能の薄膜トランジスタの製造方法を提供する。

請求項（抜粋）：

アクティブ領域とゲートとを有する薄膜トランジスタであって、前記アクティブ領域が多結晶Si1-x Gex 合金材料層とシリコンのチャネル層とを含んでおり、前記シリコンのチャネル層が前記多結晶Si1-x Gex 合金材料層と前記ゲートとの間に形成されており、前記xの範囲が0.05〜0.40原子%であることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/20

FI (3件)：

H01L 29/78 618 B ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/78 618 E

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-320063
  
• 薄膜トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-018009   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-125363   出願人：富士ゼロックス株式会社
• 特開昭61-232675