特許
J-GLOBAL ID：200903002769312917
多結晶シリコンロッドの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
大野 聖二
, 森田 耕司
, 片山 健一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-112115
公開番号（公開出願番号）：特開2009-263149
出願日： 2008年04月23日
公開日（公表日）： 2009年11月12日
要約：
【課題】低不純物汚染(高純度)の多結晶シリコンロッドであってかつ単結晶化効率の高いFZ用多結晶シリコンロッドの製造を可能とする方法を提供すること。【解決手段】単結晶シリコンインゴット10のショルダ部10sおよびテイル部10tを切り落として得られたボディ部10bから平板状シリコン11を切り出し、更に、短冊状に切断してシリコン棒(芯線)12を得る。このようにして切り出した芯線の表面は、切断加工時に生じた残留歪みを除去する目的で、エッチング処理を施すことが好ましい。結晶成長軸方位が<100>の場合、晶壁線(h1〜h4)は4本となるが、シリコン棒(芯線)12は、その面が、晶壁線と特定範囲のオフアングルθを成すように切り出される。このときのオフアングルθは、5度乃至40度の範囲であることが好ましい。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
シリコン芯線にCVD法によりシリコンを析出させて多結晶シリコンロッドを製造する方法であって、単結晶シリコンインゴットより切り出されたシリコン部材を前記シリコン芯線として用いることを特徴とする多結晶シリコンロッドの製造方法。
IPC (2件)：
FI (4件)：
C01B33/027
, C30B29/06 A
, C30B29/06 501A
, C30B29/06 C
4G072AA01
, 4G072BB03
, 4G072BB12
, 4G072GG03
, 4G072HH09
, 4G072JJ01
, 4G072NN13
, 4G072NN14
, 4G072NN30
, 4G072RR04
, 4G077AA02
, 4G077AB01
, 4G077CE03
, 4G077EB06
, 4G077EC03
, 4G077EC10
, 4G077NA05
