磁性半導体とその製造方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-046400
公開番号（公開出願番号）：特開2008-207996
出願日： 2007年02月27日
公開日（公表日）： 2008年09月11日
要約：

【課題】磁性元素を含む半導体中で、磁性元素を高濃度に含むナノ結晶の自律的形成を人為的に制御し、結晶中の磁性元素の平均の組成が20%以下の小さい範囲でも、室温以上で強磁性あるいは超常磁性状態となって磁化過程に履歴現象が生じるような薄膜結晶を実現する。【解決手段】磁性元素を含む半導体において、n型またはp型のドーパントを添加するか、あるいは化合物半導体の場合は結晶成長時の原料供給量の調節により化合物における構成元素の組成割合における化学量論比からのずれを調整することにより、磁性元素イオンの結晶中での価数を変化させてイオン間の引力相互作用を調整することで、磁性元素を高濃度に含むナノ結晶の自律的な形成を人為的に制御することが可能となる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

磁性元素が含まれたナノ結晶を有する薄膜が基板上に形成されてなる磁性半導体であって、磁性元素イオンの価数が電気的に中性な価数であるナノ結晶を含有することを特徴とする磁性半導体。

IPC (7件)：

C30B 29/46 , H01L 21/363 , C01B 19/04 , C23C 14/00 , H01F 10/193 , B82B 1/00 , B82B 3/00

FI (7件)：

C30B29/46 , H01L21/363 , C01B19/04 H , C23C14/00 D , H01F10/193 , B82B1/00 , B82B3/00

Fターム (30件)：

4G077AA03 , 4G077BE35 , 4G077DA05 , 4G077EB01 , 4G077EB02 , 4G077ED06 , 4G077HA03 , 4G077HA06 , 4G077SA04 , 4K029AA04 , 4K029BA41 , 4K029BC06 , 4K029BD01 , 4K029CA01 , 4K029DB02 , 4K029DB03 , 4K029DB14 , 5E049AB10 , 5E049BA16 , 5E049BA25 , 5F103AA04 , 5F103BB04 , 5F103BB08 , 5F103BB54 , 5F103DD30 , 5F103GG01 , 5F103HH03 , 5F103JJ01 , 5F103JJ03 , 5F103KK10

引用特許：

審査官引用 (1件)

荷電制御強磁性半導体
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-076104 出願人：国立大学法人筑波大学

引用文献：

審査官引用 (1件)

高Cr組成(Zn,Cr)Teの電気伝導特性と磁性

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