特許
J-GLOBAL ID：200903026740192340

荷電制御強磁性半導体

発明者：
黒田 眞司

黒田 眞司 について

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西沢 望

西沢 望 について

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尾崎 信彦

尾崎 信彦 について

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瀧田 宏樹

瀧田 宏樹 について


出願人/特許権者：
国立大学法人 筑波大学

国立大学法人 筑波大学 について


代理人 (1件)： 光田 敦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-076104
公開番号（公開出願番号）：特開2006-261353
出願日： 2005年03月16日
公開日（公表日）： 2006年09月28日
要約：
【課題】室温以上の温度で強磁性転移を示し、その強磁性-常磁性間の転移を外部電界などのパラメーターで制御できる荷電制御強磁性半導体を実現する。【解決手段】GaAsで形成された基板上に、II-VI族半導体であるZnTeにCrを添加した半導体であり、Cr組成5%の結晶で、ドーパントを同時に添加して成る薄膜を、分子線エピタキシー法により、結晶成長させて荷電制御強磁性半導体を製造し、添加するドーパントがp型の場合には、強磁性転移温度は低下し、逆にn型の場合には強磁性転移温度は上昇し、Cr組成を一定にしたまま、添加したドーパントの型および濃度により強磁性転移温度を変化させることが可能である。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
II-VI族半導体のII族原子がCrで置換され、n型またはp型のドーパントが添加されて成ることを特徴とする荷電制御強磁性半導体。
IPC (5件)：
H01F 1/40 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  H01F 10/193 ,  H01L 29/82
FI (4件)：
H01F1/00 A ,  H01L27/10 447 ,  H01F10/193 ,  H01L29/82 Z
Fターム (6件)：
5E040CA11 ,  5E049AA10 ,  5E049BA25 ,  5E049FC10 ,  5F083FZ10 ,  5F083JA60
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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