配線基板およびその実装構造

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-019217
公開番号（公開出願番号）：特開2002-324876
出願日： 1995年07月31日
公開日（公表日）： 2002年11月08日
要約：

【要約】【課題】半導体素子収納用パッケージなどの配線基板をガラス-エポキシ樹脂等を絶縁体とする外部電気回路基板に対して、強固に且つ長期にわたり安定した接続状態を維持できる高信頼性の配線基板とその実装構造を提供する。【解決手段】少なくとも有機樹脂を含む絶縁体9の表面に配線導体8が被着形成された40〜400°Cの温度範囲における熱膨張係数が120〜160×10-7/°Cの外部電気回路基板B上に、配線基板Aを載置し、配線基板Aの接続パッド3aを配線導体8にロウ材を介して接合することによって実装するにあたり、配線基板における絶縁基板1を、850〜1300°Cの温度で焼成され、40〜400°Cにおける熱膨張係数が60×10-7/°C以上の金属酸化物からなる結晶相が析出し、40〜400°Cの温度範囲における熱膨張係数が80〜180×10-7/°Cのセラミック焼結体によって形成する。

請求項（抜粋）：

絶縁基板と、該絶縁基板の下面または側面に外部電気回路基板との接続のために形成された接続パッドと、メタライズ配線層とを具備してなる配線基板において、前記絶縁基板が、850〜1300°Cの温度で焼成されたものであり、40〜400°Cにおける熱膨張係数が60×10-7/°C以上の金属酸化物からなる結晶相が析出し、40〜400°Cの温度範囲における熱膨張係数が80〜180×10-7/°Cのセラミック焼結体からなることを特徴とする配線基板。

IPC (4件)：

H01L 23/15 , C04B 35/495 , H05K 1/18 , H05K 3/34 507

FI (4件)：

H05K 1/18 J , H05K 3/34 507 C , H01L 23/14 C , C04B 35/00 J

Fターム (41件)：

4G030AA02 , 4G030AA03 , 4G030AA04 , 4G030AA07 , 4G030AA08 , 4G030AA09 , 4G030AA10 , 4G030AA17 , 4G030AA32 , 4G030AA35 , 4G030AA36 , 4G030AA37 , 4G030AA41 , 4G030BA12 , 4G030BA21 , 4G030CA01 , 4G030CA08 , 4G030GA03 , 4G030GA04 , 4G030GA08 , 4G030GA14 , 4G030GA15 , 4G030GA17 , 4G030GA20 , 4G030GA24 , 4G030GA27 , 5E319AA03 , 5E319AA07 , 5E319AB06 , 5E319AC02 , 5E319BB05 , 5E319CC33 , 5E319CD04 , 5E319GG03 , 5E319GG11 , 5E336AA04 , 5E336BB15 , 5E336CC34 , 5E336CC58 , 5E336EE03 , 5E336GG06

引用特許：

審査官引用 (7件)

ボールグリッドアレイ型半導体パッケージの構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-191666 出願人：シチズン時計株式会社
ランドグリッドアレイパッケージ及びその作製方法、並びに半導体パッケージ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-067406 出願人：ソニー株式会社, イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー
ガラス-セラミック複合体およびそれを用いたフラットパッケージ型圧電部品
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-147184 出願人：関西日本電気株式会社

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