特許
J-GLOBAL ID:200903002822696277

はんだバンプ電極の形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 滝本 智之 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-259757
公開番号(公開出願番号):特開平9-102498
出願日: 1995年10月06日
公開日(公表日): 1997年04月15日
要約:
【要約】【課題】 半導体ウエハの電極上にはんだバンプ電極を形成する方法において、加熱に対しても半導体ウエハが反ることなくウエハ全面均一にはんだバンプ電極が形成でき、さらに量産性にも優れたはんだバンプ電極の形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】 半導体ウエハ1の表面電極上にスクリーン印刷法により高融点クリームはんだ6を付着した後、前記半導体ウエハ1全面に近赤外線ハロゲンランプ11により赤外線を照射し、前記赤外線の輻射熱により前記半導体ウエハ1の電極上に付着したクリームはんだ6を加熱、溶融し、はんだバンプ電極を形成する。
請求項(抜粋):
半導体ウエハの電極上にはんだを付着した後、前記半導体ウエハ全面に赤外線を照射し、前記赤外線の輻射熱により前記半導体ウエハの電極上に付着したはんだを加熱、溶融することを特徴とするはんだバンプ電極の形成方法。
IPC (2件):
H01L 21/321 ,  H01L 21/26
FI (3件):
H01L 21/92 603 B ,  H01L 21/26 L ,  H01L 21/92 604 E
引用特許:
審査官引用 (3件)
  • バンプアニール方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-191473   出願人:田中貴金属工業株式会社
  • バンプの形成法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-349054   出願人:ローム株式会社
  • 半田バンプの形成装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-120122   出願人:松下電器産業株式会社

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