特許

J-GLOBAL ID：200903002830060993

半導体発光素子

発明者： 堂免 恵
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-061490
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260725
出願日： 1996年03月18日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】【課題】青色から近紫外領域に発振波長を有する半導体レーザに関し、しきい値電流密度の低減を図る。【解決手段】In、Ga、及びNを構成元素として含む半導体からなる活性層4と、他のIII 族元素又はV族元素を構成元素として含むGaN層からなる障壁層3,5とを有する半導体発光素子であって、活性層4と障壁層3,5との伝導帯不連続が100meV以上であることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

In、Ga、及びNを構成元素として含む半導体からなる活性層と、他のIII 族元素又はV族元素を構成元素として含むGaN層からなる障壁層とを有する半導体発光素子であって、前記活性層と前記障壁層との伝導帯不連続が100meV以上であることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (2件)：

H01L 33/00 C ,  H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-190466   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-189178   出願人：富士通株式会社
• 特開平4-234184