特許
J-GLOBAL ID：200903002835916268
窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
山本 秀策
, 安村 高明
, 大塩 竹志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-116422
公開番号（公開出願番号）：特開2008-187204
出願日： 2008年04月25日
公開日（公表日）： 2008年08月14日
要約：
【課題】発光の信頼性が高い窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】窒化物系化合物半導体発光素子は、第1窒化物系化合物半導体層、第2窒化物系化合物半導体層、発光層、P型窒化物系化合物半導体層およびP型電極が、この順番に積層された積層体を具備し、該第1窒化物系化合物半導体層には、該第2窒化物系化合物半導体層が露出するように溝が形成されており、少なくとも該溝には、該第2窒化物系化合物半導体層と該発光層に電流を注入するためのパッド電極とを接続するN型電極が設けられている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1窒化物系化合物半導体層、第2窒化物系化合物半導体層、発光層、P型窒化物系化合物半導体層およびP型電極が、この順番に積層された積層体を具備し、
前記第1窒化物系化合物半導体層は、AlN層またはAlGaN層によって構成されており、
該第1窒化物系化合物半導体層には、前記第2窒化物系化合物半導体層が露出するように溝が形成されており、
該溝内には、前記第2窒化物系化合物半導体層と、前記発光層に電流を注入するためのパッド電極とを接続するN型電極が設けられており、
該第1窒化物系化合物半導体層の表面の光出射領域は露出しており、
該バッド電極が該第1窒化物系化合物半導体層の上方に配置されて、該バッド電極にワイヤーがボンディングされていることを特徴とする窒化物系化合物半導体発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (11件)：
5F041AA03
, 5F041AA43
, 5F041CA05
, 5F041CA12
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CA74
, 5F041CA83
, 5F041CA92
, 5F041CA93
, 5F041CA98
