特許
J-GLOBAL ID：200903002842943270
成膜装置及び方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 義雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-086708
公開番号（公開出願番号）：特開2000-282224
出願日： 1999年03月29日
公開日（公表日）： 2000年10月10日
要約：
【要約】【課題】 断続的な成膜を迅速に行うことができる成膜装置及び方法。【解決手段】 基板Wの表面に断続的に成膜する場合、成膜を一時的に中断することになる。この際、プラズマガン30の動作を停止させないで、圧力調整装置70の給気部71から真空容器10中に不活性ガスを供給して真空容器10内のガス圧を所定圧力以上に上昇させる。成膜の中断を解除する場合、主制御装置80からの指示に基づいて、排気ポンプ77を動作させ、真空容器10中を元の減圧状態に復帰させる。こうして、真空容器10中のガス圧が低下すると、ハース本体53の溶融した膜材料から蒸気化し易くなり、発生した蒸気のミーンフリーパスが増大し、基板W上における膜の形成が再開される。
請求項（抜粋）：
成膜室中にプラズマビームを供給するプラズマ源と、前記成膜室中に配置されて膜材料を収容する材料蒸発源を備えるとともに、当該材料蒸発源に前記プラズマビームを導くハースと、前記材料収容部の上方の近接した領域の磁界を制御する磁場制御部材と、前記成膜室中を所定圧力以上に上昇させて成膜を中断させる圧力調整装置とを備える成膜装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C 14/32 B
, H01L 21/285 B
4K029BA08
, 4K029CA03
, 4K029DD05
, 4K029EA03
, 4K029EA06
, 4M104BB04
, 4M104BB13
, 4M104BB14
, 4M104BB17
, 4M104DD44
, 4M104HH20
