特許
J-GLOBAL ID:200903002856653232

光電変換膜、光電変換素子、及び撮像素子、並びに、これらに電場を印加する方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (5件): 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  矢澤 清純
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-240010
公開番号(公開出願番号):特開2007-059467
出願日: 2005年08月22日
公開日(公表日): 2007年03月08日
要約:
【課題】光電変換効率が高く、さらに吸収の半値幅が狭く色再現に優れた光導電膜、光電変換素子、及び撮像素子を提供する。【解決手段】下記一般式で表される化合物を少なくとも一つ含む光電変換膜、光電変換素子、及び撮像素子、並びに、これらに電場を印加する方法、及び印加した素子。(式中、R11〜R14はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、R1A、R1Bはそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、X11、X12はそれぞれ独立に置換もしくは無置換の炭素原子、置換もしくは無置換の窒素原子、酸素原子、または硫黄原子を表す。)【選択図】 なし
請求項(抜粋):
下記一般式(1)で表される化合物を少なくとも一つ含むことを特徴とする光電変換膜。 一般式(1)
IPC (3件):
H01L 27/146 ,  H01L 51/42 ,  H01L 31/10
FI (3件):
H01L27/14 E ,  H01L31/08 T ,  H01L31/10 A
Fターム (39件):
4M118AA01 ,  4M118AB01 ,  4M118BA07 ,  4M118BA10 ,  4M118BA14 ,  4M118CA15 ,  4M118CA22 ,  4M118CA27 ,  4M118CB05 ,  4M118CB13 ,  4M118CB14 ,  4M118DB16 ,  4M118DD03 ,  4M118DD04 ,  4M118FA06 ,  4M118GB02 ,  4M118GB11 ,  5F049MA02 ,  5F049MB03 ,  5F049NA01 ,  5F049NA10 ,  5F049NB05 ,  5F049RA02 ,  5F049RA08 ,  5F049SS03 ,  5F049SZ06 ,  5F049SZ20 ,  5F049WA03 ,  5F088AA02 ,  5F088AB03 ,  5F088AB11 ,  5F088BA01 ,  5F088BB03 ,  5F088EA04 ,  5F088EA08 ,  5F088GA04 ,  5F088HA05 ,  5F088HA20 ,  5F088LA03
引用特許:
出願人引用 (3件)

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