特許

J-GLOBAL ID：200903002858920815

半導体装置およびその製造方法

発明者： 西山 憲和 ,  上山 惟一 ,  奥 良彰
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 小栗 昌平 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-198942
公開番号（公開出願番号）：特開2003-017482
出願日： 2001年06月29日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
要約：

【要約】【課題】 基板内で空孔度を調整し、誘電率を所望の値に調整できるような半導体装置を提供する。【解決手段】 親水性処理または疎水性処理のなされた基板表面に平行となるように配向せしめられた円柱状の空孔を含むポーラス構造を有する無機絶縁膜を含むことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

親水性処理または疎水性処理のなされた基板表面に平行となるように配向せしめられた円柱状の空孔を含むポーラス構造を有する無機絶縁膜を含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/768 ,  H01L 27/105

FI (5件)：

H01L 21/316 G ,  H01L 21/316 B ,  H01L 21/90 N ,  H01L 21/90 V ,  H01L 27/10 444 B

Fターム (35件)：

5F033HH04 ,  5F033HH07 ,  5F033JJ04 ,  5F033KK01 ,  5F033LL01 ,  5F033NN03 ,  5F033PP15 ,  5F033PP16 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ58 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ76 ,  5F033RR04 ,  5F033RR09 ,  5F033RR29 ,  5F033SS00 ,  5F033SS17 ,  5F033SS22 ,  5F033SS30 ,  5F033VV10 ,  5F033VV16 ,  5F033XX24 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BF46 ,  5F058BH03 ,  5F058BJ02 ,  5F083FR02 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38 ,  5F083JA43 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083NA08

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 高結晶性シリカメソ多孔体薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-309625   出願人：財団法人化学技術戦略推進機構