特許
J-GLOBAL ID：200903002859020974

成膜方法、成膜装置及び記憶媒体

発明者：
長谷部 一秀

長谷部 一秀 について

, 
岡田 充弘

岡田 充弘 について

, 
千葉 貴司

千葉 貴司 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 浅井 章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-213767
公開番号（公開出願番号）：特開2007-035740
出願日： 2005年07月25日
公開日（公表日）： 2007年02月08日
要約：
【課題】 低温領域で成膜しても、その膜ストレスを向上させることが可能な成膜方法を提供する。【解決手段】 被処理体Wの表面に所定の特性を有するシリコン窒化膜を形成する成膜方法において、シラン系ガスと窒化ガスとを用いて第1の温度で前記被処理体の表面にシリコン窒化膜を形成するシリコン窒化膜形成工程と、前記被処理体を前記第1の温度よりも高い第2の温度で窒化ガスの雰囲気下にてアニールして前記シリコン窒化膜を改質する改質工程とを行う。これにより、低温領域で成膜しても、その膜ストレスを向上させることが可能となる。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
被処理体の表面に所定の特性を有するシリコン窒化膜を形成する成膜方法において、 シラン系ガスと窒化ガスとを用いて第1の温度で前記被処理体の表面にシリコン窒化膜を形成するシリコン窒化膜形成工程と、 前記被処理体を前記第1の温度よりも高い第2の温度で窒化ガスの雰囲気下にてアニールして前記シリコン窒化膜を改質する改質工程と、 を有することを特徴とする成膜方法。
IPC (3件)：
H01L 21/318 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522
FI (2件)：
H01L21/318 B ,  H01L21/90 K
Fターム (19件)：
5F033KK01 ,  5F033KK25 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ54 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ78 ,  5F033QQ85 ,  5F033QQ90 ,  5F033RR05 ,  5F033SS01 ,  5F033SS02 ,  5F033SS03 ,  5F033SS11 ,  5F033WW03 ,  5F058BA20 ,  5F058BC08 ,  5F058BF07 ,  5F058BH16 ,  5F058BJ02
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 縦型半導体製造装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-107067   出願人：株式会社日立国際電気
審査官引用 (2件)

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