特許
J-GLOBAL ID：200903002864011231

電界効果半導体装置

発明者：
原 直紀

原 直紀 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 眞鍋 潔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-110433
公開番号（公開出願番号）：特開2000-307100
出願日： 1999年04月19日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
要約：
【要約】【課題】 電界効果半導体装置に関し、Vth制御の為のイオン注入に依る損傷を低減し、高いチャネル移動度を維持できるようにして、高周波特性及び高速動作性が良好なHEMTを含む電界効果半導体装置を実現できるようにする。【解決手段】 半絶縁性GaAs基板11上に形成されたInGaAsチャネル層13と、チャネル層13上に形成されチャネル層13に比較してエネルギ・バンド・ギャップが大きく且つ全面に不純物が導入されたn-AlGaAsキャリヤ供給層14A及び14Bと、キャリヤ供給層14A及び14Bの間に介在しキャリヤ供給層14A及び14Bに比較して不純物活性化率が高いi-GaAs挿入層15と、挿入層15を含み閾値電圧を変化させることが必要なトランジスタ部分のみに形成されたVth制御イオン注入領域21とを備える。
請求項（抜粋）：
基板上に形成されたチャネル層である第一の半導体層と、該第一の半導体層上に形成され該第一の半導体層に比較してエネルギ・バンド・ギャップが大きく且つ全面に不純物が導入された第二の半導体層と、該第二の半導体層内に介在し該第二の半導体層に比較して不純物活性化率が高い材料からなる第三の半導体層と、該第三の半導体層を含み閾値電圧を変化させることが必要なトランジスタ部分のみに形成された閾値電圧制御不純物導入領域とを備えてなることを特徴とする電界効果半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812
Fターム (11件)：
5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GK06 ,  5F102GL04 ,  5F102GM06 ,  5F102GN06 ,  5F102GQ01 ,  5F102HC01 ,  5F102HC07
引用特許：
審査官引用 (9件)
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