特許

J-GLOBAL ID：200903066826583670

電界効果トランジスタ

発明者： 冨士原 明 ,  宮本 広信
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-250571
公開番号（公開出願番号）：特開平9-092819
出願日： 1995年09月28日
公開日（公表日）： 1997年04月04日
要約：

【要約】【課題】 InGaAs動作層とInAlAs電子供給層を用いた電界効果トランジスタにおいて、熱的安定性に優れた構造を提供する。【解決手段】 少なくとも一部にn型ドーパントが添加されたInAlAs電子供給層4を有する電界効果トランジスタである。InAlAs電子供給層4とゲート電極10との間には、In<SB>x </SB>Al<SB>y </SB>Ga<SB>1-x-y </SB>As保護層5(y<0.3)が設けられている。【効果】 Al組成の小さいIn<SB>1-x-y </SB>Al<SB>y </SB>Ga<SB>x </SB>As層5を導入することにより、外部からの不純物が、InAlAs電子供給層4中のn-InAlAs層に到達し、n型ドーパントを不活性化することを抑えることができる。したがって、ゲート電極10形成後の熱工程においても、素子特性の劣化を抑制することができる。

請求項（抜粋）：

少なくとも一部にn型ドーパントが添加されたInAlAs電子供給層を有する電界効果トランジスタにおいて、該InAlAs電子供給層とゲート電極との間にIn<SB>x </SB>Al<SB>y </SB>Ga<SB>1-x-y </SB>As保護層(y<0.3)が設けられたことを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/872

FI (3件)：

H01L 29/80 H ,  H01L 29/48 F ,  H01L 29/48 H

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 高電子移動度トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-228409   出願人：日本電信電話株式会社
• 特開平2-295135
  
• ヘテロ接合電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-093806   出願人：古河電気工業株式会社
• 電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-225767   出願人：株式会社デンソー, 新技術事業団