特許
J-GLOBAL ID：200903002872284549
不揮発性固体磁気メモリ、不揮発性固体磁気メモリの保磁力制御方法、及び不揮発性固体磁気メモリの記録方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 興作
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-212000
公開番号（公開出願番号）：特開2004-055866
出願日： 2002年07月22日
公開日（公表日）： 2004年02月19日
要約：
【課題】省電力で実用に共することのできる不揮発性固体磁気メモリを提供する。【解決手段】基板1上に、バッファ層2と、キャリア誘起強磁性体からなる記録層3と、絶縁層4を介して金属電極層5を順次に形成して、電界効果型トランジスタ構造の不揮発性固体磁気メモリ10を作製する。記録時には、金属電極層5を介して記録層3に所定の電界を、記録層3中の正孔濃度が減少するように印加して、記録層3の保磁力を低減させ、比較的小さい外部磁場を反転磁場として用いて磁化の反転を行ない、記録動作を実行する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
キャリア誘起強磁性体を記録層として具えることを特徴とする、不揮発性固体磁気メモリ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L27/10 447
, H01L43/06 S
5F083FZ10
, 5F083GA05
, 5F083HA06
, 5F083JA36
, 5F083JA38
, 5F083JA51
, 5F083PR25
