特許
J-GLOBAL ID：200903082632566567
磁気記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-151368
公開番号（公開出願番号）：特開平11-345485
出願日： 1998年06月01日
公開日（公表日）： 1999年12月14日
要約：
【要約】【課題】データ転送線に複数のTMRメモリセルを接続した場合に、大きな読み出し信号を得る。【解決手段】4本のデータ選択線11(選択データ選択線11sel ,非選択データ選択線11unsel )が、それぞれ整流素子12及びメモリセル13(選択メモリセル13sel ,非選択メモリセル13unsel )を介して1本のデータ転送線14に接続されている。なお、整流素子12の整流方向は全て同じである。
請求項（抜粋）：
第1の磁性体と第2の磁性体との間に介在するように非磁性絶縁膜が形成されたメモリセルと、このメモリセルの一端に接続されたデータ選択線と、前記メモリセルの他端に接続されたデータ転送線とを具備し、複数の前記データ選択線が、それぞれ前記メモリセルを介して1本のデータ転送線に接続された磁気記憶装置であって、前記データ選択線と各メモリセルとの間,前記データ転送線と各メモリセルとの間、又は各メモリセル中には、それぞれ整流方向が一致する整流素子が挿入されていることを特徴とする磁気記憶装置。
引用特許：
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