磁性半導体を用いた脳型メモリおよび脳型演算装置およびその使用方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-369900
公開番号（公開出願番号）：特開2003-174174
出願日： 2001年12月04日
公開日（公表日）： 2003年06月20日
要約：

【要約】【課題】人間の脳のような働きをするメモリや演算装置を半導体母体で作製すること。【構成】磁性半導体のスピングラス状態・強磁性ハーフメタル状態転移を用いて、光励起による刺激入力、もしくは電場による刺激入力、もしくはホールまたは電子注入による刺激入力により、刺激入力に対して準安定状態にあるスピングラス状態を逐次めぐることにより、複数回の刺激、もしくはある閾値を超えた刺激の場合にのみ強磁性ハーフメタル状態に転移して、そのスピン状態を記憶することの出来る脳型メモリと脳型演算装置およびその使用方法。

請求項（抜粋）：

酸化亜鉛(ZnO)を母体とする磁性半導体、III-V族化合物半導体を母体とする磁性半導体、またはII-VI族化合物半導体を母体とする磁性半導体のうち一つを用いスピングラス状態を出発点として、その準安定状態を経由して、光励起によりホールもしくは電子をこれらの系に導入し、ホール濃度もしくは電子濃度がある限界値を超えたとき、または光励起がその限界回数を超えたときに強磁性ハーフメタル状態に転移することを利用して、それらの状態を記憶することを特徴とする脳型メモリおよび脳型演算装置。

IPC (3件)：

H01L 29/82 , G06G 7/12 , H01L 27/105

FI (3件)：

H01L 29/82 Z , G06G 7/12 F , H01L 27/10 447

Fターム (2件)：

5F083FZ10 , 5F083HA06

引用特許：

審査官引用 (5件)

電子回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-016018 出願人：キヤノン株式会社
ニューロ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-174558 出願人：ローム株式会社
ニューロデバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-025880 出願人：沖電気工業株式会社

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引用文献：

審査官引用 (4件)

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