ゲート電極の形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-328023
公開番号（公開出願番号）：特開平11-162995
出願日： 1997年11月28日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：

【要約】【課題】プロセスを簡略化するとともにプロセス工程に依存する寸法のばらつきを抑制し、微細なゲートを制御良く、再現良く形成する方法を提供する。【解決手段】半導体基板110上に形成した絶縁膜111に開口パターンを形成し、この開口パターンにゲート電極金属を埋め込む電極形成方法であって、開口パターン118の断面パターンの上部の傾斜角と下部の傾斜角が異なり、断面パターンがY字型になるように、絶縁膜111の開口パターンを異方性エッチングを用いて形成する。この開口部にゲート電極を埋め込み、微細ゲート長を有するゲート電極124が形成できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成した絶縁膜に開口形状を形成し、該絶縁膜開口形状にゲート電極金属を埋め込む電極形成方法において、形成された絶縁膜開口形状の断面パターンを上層部分と下層部分でパターン開口側面の傾斜角の相違する二種類の開口パターンにより形成することを特徴とするゲート電極の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 29/41

FI (2件)：

H01L 29/80 F , H01L 29/44 Z

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平1-007572
電界効果トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-332965 出願人：日本電気株式会社
特開平2-238636

全件表示

前のページに戻る