特許
J-GLOBAL ID：200903002903163940
炭化珪素単結晶の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
青木 篤
, 石田 敬
, 古賀 哲次
, 永坂 友康
, 西山 雅也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-019388
公開番号（公開出願番号）：特開2007-197274
出願日： 2006年01月27日
公開日（公表日）： 2007年08月09日
要約：
【課題】溶液法による、成長速度の速い、所望の結晶構造を持つ炭化珪素単結晶を製造する方法を提供する。【解決手段】SiとCを含む原料を融解した融液に炭化珪素種結晶基板を接触させ、前記基板上に炭化珪素単結晶を成長させることを含む六方晶炭化珪素単結晶の製造方法において、種結晶基板として六方晶炭化珪素単結晶基板を用いる場合、その(000-1)炭素面を使用し、種結晶温度を1700〜1900°Cとし、かつ融液内部から種結晶基板と接触する表面に向かう温度勾配を1〜5°C/mmの範囲内として結晶を成長させる。一方、種結晶基板として菱面体晶炭化珪素単結晶基板を用いる場合、その(0001)珪素面を使用し、かつ種結晶温度を1700〜1900°Cとして結晶を成長させる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
SiとCを含む原料を融解した融液に炭化珪素種結晶基板を接触させ、前記基板上に炭化珪素単結晶を成長させることを含む六方晶炭化珪素単結晶の製造方法であって、
種結晶基板として六方晶炭化珪素単結晶基板を用いる場合、その(000-1)炭素面を使用し、種結晶温度を1700〜1900°Cとし、かつ融液内部から種結晶基板と接触する表面に向かう温度勾配を1〜5°C/mmの範囲内として結晶を成長させること、又は
種結晶基板として菱面体晶炭化珪素単結晶基板を用いる場合、その(0001)珪素面を使用し、かつ種結晶温度を1700〜1900°Cとして結晶を成長させること、
を特徴とする六方晶炭化珪素単結晶の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (13件)：
4G077AA02
, 4G077BE08
, 4G077CG01
, 4G077CG07
, 4G077EA02
, 4G077ED05
, 4G077ED06
, 4G077EH07
, 4G077QA01
, 4G077QA12
, 4G077QA38
, 4G077QA71
, 4G077QA79
