特許
J-GLOBAL ID:200903002924085310
基板処理装置及び基板処理方法
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-181445
公開番号(公開出願番号):特開2001-358134
出願日: 2000年06月16日
公開日(公表日): 2001年12月26日
要約:
【要約】【課題】デバイス構造の変化があってものエッチング性能を維持できる。【解決手段】ウエハWに所定の処理を行う基板処理装置において、ウエハWにエッチング処理を行うための処理部10と、処理部10にあるウエハWにフッ素系不活性液体、有機溶媒であるイソプロピルアルコール(IPA)及びフッ酸を含む処理液を供給する処理部27と、を備える。
請求項(抜粋):
【請求項1】基板に所定の処理を行う基板処理装置において、基板に処理を行うための処理部と、前記処理部にある基板にフッ素系不活性液体、有機溶媒及びフッ酸を含む処理液を供給する処理液供給手段と、を備えたことを特徴とする基板処理装置。
IPC (3件):
H01L 21/308
, C09K 13/08
, H01L 21/304 647
FI (3件):
H01L 21/308 G
, C09K 13/08
, H01L 21/304 647 A
Fターム (11件):
5F043BB27
, 5F043BB30
, 5F043DD30
, 5F043EE03
, 5F043EE07
, 5F043EE12
, 5F043EE24
, 5F043EE25
, 5F043EE35
, 5F043EE36
, 5F043GG10
引用特許:
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