半導体発光素子及びその作製方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：薄田利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-017066
公開番号（公開出願番号）：特開平7-226563
出願日： 1994年02月14日
公開日（公表日）： 1995年08月22日
要約：

【要約】【目的】静特性、動特性が均一でかつ発振波長の異なる分布帰還型レーザ、分布反射型レーザを簡易な作製法で同一基板上に作製する。【構成】半導体基板1上のレーザの光導波路が形成される位置に一定幅Wgの間隙が設けられたストライプ状絶縁膜マスク2の対を複数対を形成施し、有機金属気相成長により半導体レーザの光導波層3、4、5を結晶成長する。複数対の各ストライプ状の寸法Wmは相互に異なる。上記方法によって出来た半導体光素子は、同一基板1上に光導波路の膜厚、組成が異なり、発振波長が相互に異なる複数の分布帰還型半導体レーザ7-1、7-2...7-nが形成される。【効果】静特性、動特性が均一でかつ発振波長の異なる複数の分布帰還型レーザ、分布反射型レーザを極めて簡易な作製法で同一基板上に作製できる。また、素子性能、歩留まりが飛躍的に向上する。

請求項（抜粋）：

発振波長及び活性層の発光ピ-ク波長が互いに異なる分布帰還型レ-ザ又は分布反射型レ-ザが同一半導体基板面内に複数個集積され、上記複数個の半導体レ-ザ間での発振波長と活性層の発光ピ-ク波長の大小の順が同じであることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (6件)：

H01S 3/18 , C23C 16/18 , H01L 21/205 , H01L 27/15 , H01L 29/06 , H01S 3/25

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開平2-252284
光半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-056643 出願人：日本電気株式会社
半導体光集積素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-180746 出願人：株式会社日立製作所

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