特許
J-GLOBAL ID：200903002935573643

パワーモジュール用基板、その製造方法、パワーモジュール

発明者：
長友 義幸

長友 義幸 について

, 
長瀬 敏之

長瀬 敏之 について


出願人/特許権者：
三菱マテリアル株式会社

三菱マテリアル株式会社 について


代理人 (5件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  青山 正和 ,  村山 靖彦 ,  柳井 則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-023464
公開番号（公開出願番号）：特開2008-192705
出願日： 2007年02月01日
公開日（公表日）： 2008年08月21日
要約：
【課題】金属板とセラミックス基板との高い接合強度が得られるパワーモジュール用基板及びその製造方法、パワーモジュールを提供する。【解決手段】アルミニウム系セラミックス基板の表面に純アルミニウムからなる金属板を接合したパワーモジュール用基板であって、前記金属板における前記セラミックス基板との接合界面付近の結晶粒は、その平均粒径が5μm以上30μm以下であるとともに、接合界面の法線方向に配向した[001]方位の結晶粒の発生領域が前記接合界面の全体領域の50%未満である。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
セラミックス基板の表面に純アルミニウムからなる金属板を接合したパワーモジュール用基板であって、 前記金属板における前記セラミックス基板との接合界面付近の結晶粒は、その平均粒径が5μm以上30μm以下であるとともに、接合界面の法線方向に配向した[001]方位の結晶粒の発生領域が前記接合界面の全体領域の50%未満であることを特徴とするパワーモジュール用基板。
IPC (2件)：
H01L 23/36 ,  H01L 23/15
FI (2件)：
H01L23/36 C ,  H01L23/14 C
Fターム (12件)：
5F136BA02 ,  5F136BB04 ,  5F136BB05 ,  5F136DA27 ,  5F136EA13 ,  5F136FA02 ,  5F136FA12 ,  5F136FA14 ,  5F136FA16 ,  5F136FA18 ,  5F136GA02 ,  5F136GA11
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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