特許

J-GLOBAL ID：200903002943833590

半導体装置用基板及びその製造方法

発明者： 秋本 聡 ,  大房 俊雄
出願人/特許権者： 凸版印刷株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-109656
公開番号（公開出願番号）：特開2005-294660
出願日： 2004年04月02日
公開日（公表日）： 2005年10月20日
要約：

【課題】レーザー加工装置などのビアを形成するための設備を用いずに、配線パターンの接続部の更なる微細化を可能とした、薄型で高密度な配線パターンを有する半導体装置用基板及び製造方法を提供すること。【解決手段】上下に隣接する配線層の上下配線パターン31〜34が直接積み重なる構造の接続部と、上下配線パターンが接続部以外では接触、又は必要な絶縁抵抗値以下の間隔に近接しないように配設した複数の配線層を有すること。上下配線パターンは、厚みが3〜35μmの金属又は導電性有機材料からなること。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

少なくとも、上下に隣接する配線層の上下配線パターンが直接積み重なる構造の接続部と、該上下配線パターンが接続部以外では接触、又は必要な絶縁抵抗値以下の間隔に近接しないように配設した複数の配線層を有することを特徴とする半導体装置用基板。

IPC (2件)：

H01L23/12 ,  H05K3/46

FI (2件)：

H01L23/12 N ,  H05K3/46 N

Fターム (24件)：

5E346AA01 ,  5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346AA35 ,  5E346AA43 ,  5E346BB01 ,  5E346BB11 ,  5E346CC08 ,  5E346CC31 ,  5E346CC54 ,  5E346DD02 ,  5E346DD22 ,  5E346DD33 ,  5E346DD47 ,  5E346EE31 ,  5E346EE39 ,  5E346FF04 ,  5E346FF35 ,  5E346GG17 ,  5E346GG22 ,  5E346GG23 ,  5E346GG28 ,  5E346HH25 ,  5E346HH26

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特許第3231537号公報
  
• 特許2991032号公報
  
• 特許3366458号公報
  
• 特許第3251711号公報
  

審査官引用 (2件)

• プリント基板及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-196943   出願人：松下電器産業株式会社
• 層間接続ビア構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-070058   出願人：日本電信電話株式会社