特許
J-GLOBAL ID：200903002952498809

半導体レーザ装置

発明者：
河田 誠治

河田 誠治 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-276478
公開番号（公開出願番号）：特開平10-125995
出願日： 1996年10月18日
公開日（公表日）： 1998年05月15日
要約：
【要約】【課題】 メサ状のストライプを埋め込むタイプの半導体レーザのしきい値を低減し、キンクレベルを向上する。【解決手段】 横モードを制御するためのアウタクラッド層6をエッチングにより形成する際に、エッチングストップ層5を用いてエッチング深さの制御を行う。このエッチングストップ層5は、多重量子井戸でできており、井戸層は、活性層3の発振光を吸収しないバンドギャップを持つ厚さとなっており、かつ、複数の井戸層により、確実にエッチングを停止できる。このエッチングストップ層5のバリア層をクラッド層より屈折率を低くし、エッチングストップ層5全体の平均屈折率をクラッド層4および6より小さくし、光分布の広がりを抑えている。
請求項（抜粋）：
活性層上に第1導電型のクラッド層と、多重量子井戸層からなるエッチングストップ層とを有し、該エッチングストップ層上にメサ型で第1導電型のクラッド層と、該クラッド層を横方向に挾む第2導電型もしくは、絶縁型の電流ブロック層とを具備する半導体レーザ装置であって、前記多重量子井戸層のバンドギャップエネルギーは、前記活性層の発光エネルギーよりも大きく、かつ、多重量子井戸層の平均屈折率は、前記2つのクラッド層の屈折率と等しいか、もしくは、小さいものであることを特徴とする半導体レーザ装置。
引用特許：
審査官引用 (5件)
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