フォトリソグラフィパターン製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：富村潔
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-509802
公開番号（公開出願番号）：特表平10-505173
出願日： 1995年09月01日
公開日（公表日）： 1998年05月19日
要約：

【要約】サブミクロン範囲のフォトリソグラフィパターンの製造方法において基板上にt.-ブチルエステル-又はt.-ブトキシカルボニルオキシ基を含むポリマー、芳香族ヒドロキシ化合物を含むナフトキノンジアジド-4-スルホン酸のエステルの型の光活性成分及び適当な溶剤からなるフォトレジスト層を施す。このフォトレジスト層を更に乾燥し、像に応じて露光し、120〜150°Cの間100〜600秒間熱処理し、湿式現像する(一層レジスト系)。更に本発明は相応する二層レジスト系を使用する方法を対象とする。

請求項（抜粋）：

t.-ブチルエステル-又はt.-ブトキシカルボニルオキシ基を含むポリマー、以下の構造「式中R1=H、アルキル、ハロゲンアルキル、アルコキシ、フェニル、ハロゲンフェニル、フェノキシ又はハロゲン、 R2=H、OH、アルキル、ハロゲンアルキル、アルコキシ、フェニル、ハロゲンフェニル、フェノキシ又はハロゲン、 R3=アルキル、ハロゲンアルキル、フェニル、ハロゲンフェニル又はモノ-、ジ-又はトリヒドロキシフェニル X=CO又はSO2であり、ヒドロキシ化合物が少なくとも1個のOH基を有し、ヒドロキシ化合物に-SO2-O-基を介して-1〜4個のナフトキノンジアジド-4-スルホン酸エステルが結合されていることを条件とする]の芳香族ヒドロキシ化合物を有する以下の構造のナフトキノンジアジド-4-スルホン酸のエステルの形の光活性成分、及び適当な溶剤からなるフォトレジスト層を基板上に施し、このフォトレジスト層を乾燥し、このフォトレジスト層を像に応じて露光し、露光されたフォトレジスト層を120〜150°Cの温度範囲で100〜600秒間熱処理し、このように処理されたフォトレジスト層を湿式現像することを特徴とするサブミクロン範囲のフォトリソグラフィパターン製造方法。

IPC (5件)：

G03F 7/004 503 , G03F 7/022 601 , G03F 7/039 601 , G03F 7/38 512 , H01L 21/027

FI (5件)：

G03F 7/004 503 A , G03F 7/022 601 , G03F 7/039 601 , G03F 7/38 512 , H01L 21/30 502 R

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平4-347857
フオトレジスト
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-353047 出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
特開平2-308256

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