特許
J-GLOBAL ID：200903002979830236
エピタキシャルウェハおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-337797
公開番号（公開出願番号）：特開平8-181070
出願日： 1994年12月26日
公開日（公表日）： 1996年07月12日
要約：
【要約】【目的】 たとえば発光素子等に使用可能な高性能のエピタキシャルウェハ、およびそれを工業的に製造できる方法を提供する。【構成】 GaAs、GaP、InAsおよびInPからなる群から選ばれる化合物半導体基板1と、基板1上に形成された厚さが100Å〜800ÅのGaNからなるバッファ層2と、バッファ層2上に形成されたGaNを含むエピタキシャル層3とを備える。バッファ層2は、有機金属クロライド気相エピタキシ成長法により、第1の温度で形成され、エピタキシャル層3は、有機金属クロライド気相エピタキシ成長法により、第1の温度より高い第2の温度で形成される。
請求項（抜粋）：
GaAs、GaP、InAsおよびInPからなる群から選ばれる化合物半導体基板と、前記基板上に形成された、厚さが100Å〜800ÅのGaNからなるバッファ層と、前記バッファ層上に形成された、GaNを含むエピタキシャル層とを備える、エピタキシャルウェハ。
IPC (5件)：
H01L 21/20
, C23C 16/34
, C30B 29/38
, H01L 21/205
, H01L 33/00
