特許
J-GLOBAL ID：200903002989408281

デバイス装置およびその製造方法

発明者：
深野 徹

深野 徹 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-156638
公開番号（公開出願番号）：特開2005-341162
出願日： 2004年05月26日
公開日（公表日）： 2005年12月08日
要約：
【課題】 MEMSデバイスや圧電デバイスや弾性表面波デバイスを個別に良好に封止して保護して良好に動作させることができ、かつ生産性に優れるデバイス装置を提供すること。 【解決手段】 基板1上に機械的駆動部2が配置されてなるデバイスの機械的駆動部2と、基板1上に形成され機械的駆動部2に接続された配線導体4とを、基板1上に形成された樹脂材料から成る封止部材3の空間5内に封止しており、封止部材3に、上面から空間5内に貫通して配線導体4に接続された金属材料から成る貫通導体5が形成されているデバイス装置である。機械的駆動部2と外部との電気的な接続は配線導体4および貫通導体7を介して封止部材3の上面側で行なうことができ、機械的駆動部2を長期にわたって良好に安定して気密に封止することができるため、気密封止の信頼性に優れ、生産性に優れたデバイス装置を提供することができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に機械的駆動部が配置されてなるMEMSデバイスまたは圧電デバイスまたは弾性表面波デバイスの前記機械的駆動部と、前記基板上に形成され前記機械的駆動部に接続された配線導体とを、前記基板上に該基板との間に空間を設けて形成された樹脂材料から成る封止部材の前記空間内に封止しており、前記封止部材に、上面から前記空間内に貫通して前記配線導体に接続された金属材料から成る貫通導体が形成されていることを特徴とするデバイス装置。
IPC (6件)：
H03H9/02 ,  H03H3/007 ,  H03H3/02 ,  H03H3/08 ,  H03H9/24 ,  H03H9/25
FI (6件)：
H03H9/02 A ,  H03H3/007 Z ,  H03H3/02 B ,  H03H3/08 ,  H03H9/24 Z ,  H03H9/25 A
Fターム (17件)：
5J097AA24 ,  5J097AA29 ,  5J097AA30 ,  5J097DD24 ,  5J097HA04 ,  5J097JJ01 ,  5J097JJ09 ,  5J097KK10 ,  5J108AA06 ,  5J108BB02 ,  5J108EE03 ,  5J108GG03 ,  5J108GG07 ,  5J108GG20 ,  5J108KK04 ,  5J108KK07 ,  5J108MM02
引用特許：
出願人引用 (6件)
全件表示
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM