特許
J-GLOBAL ID：200903003008661833
窒化物系半導体素子およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福島 祥人 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-203306
公開番号（公開出願番号）：特開2002-026438
出願日： 2000年07月05日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
要約：
【要約】【課題】 劈開工程における歩留まりが高くかつ大量生産が可能な窒化物系半導体素子およびその製造方法を提供することである。【解決手段】 半導体レーザ素子100は、厚さ120〜200μmのn-GaN基板1の一方の面上に、n-バッファ層2、n-クラッド層3、活性層4、p-クラッド層5およびp-コンタクト層6が順に積層されてなる。p-コンタクト層6の所定領域上にはp電極15が形成されている。n-GaN基板1の他方の面は、基板の厚さの0.1%以下の深さを有する凹部を含む凹凸形状を有しており、この凹部内および凸部上にn電極16が形成されている。
請求項（抜粋）：
窒化物系半導体基板の一方の面上に窒化物系半導体からなる能動素子領域が形成され、前記窒化物系半導体基板の厚さは120μm以上200μm以下でありかつ前記窒化物系半導体基板の他方の面は深さが前記窒化物系半導体基板の厚さの0.1%以下である凹部を含む凹凸形状を有することを特徴とする窒化物系半導体素子。
IPC (4件)：
H01S 5/02
, H01L 21/304 621
, H01L 21/301
, H01L 33/00
H01S 5/02
, H01L 21/304 621 B
, H01L 33/00 C
, H01L 21/78 U
5F041AA03
, 5F041AA41
, 5F041CA04
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CA74
, 5F041CA77
, 5F041CA82
, 5F041CA92
, 5F041DA07
, 5F073CA17
, 5F073DA05
, 5F073DA32
, 5F073DA35
