特許
J-GLOBAL ID：200903003021283724
試料ターゲット
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
小林 良平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-085763
公開番号（公開出願番号）：特開2007-263600
出願日： 2006年03月27日
公開日（公表日）： 2007年10月11日
要約：
【課題】マトリックスを用いることなく高い効率で分析対象試料のレーザー脱離イオン化を実現することのできる試料ターゲットを提供する。【解決手段】レーザー光照射による試料のイオン化に用いられ、少なくともレーザー被照射面が多孔質構造を有する基体と、該レーザー被照射面を被覆する金属若しくは半導体から成る薄膜とを有する試料ターゲットにおいて、前記基体のレーザー光によるイオン化反応に関与する表層部と該表層部以外のバルク部の熱伝導率が同等、又は表層部よりもバルク部の熱伝導率が低いものとする。例えば、試料ターゲット10を二重細孔構造を有するシリカモノリスプレートから成る基体20と該基体のレーザー被照射面を被覆するPt薄膜30とで構成する。これにより、ターゲット基体20の表層部からバルク部への熱伝導によるエネルギーのロスを抑え、イオン化効率を向上させることができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
レーザー光照射による試料のイオン化に用いられ、少なくともレーザー被照射面が多孔質構造を有する基体と、該レーザー被照射面を被覆する金属若しくは半導体から成る薄膜とを有する試料ターゲットであって、
前記基体のレーザー光によるイオン化反応に関与する表層部と該表層部以外のバルク部の熱伝導率が同等、又は表層部よりもバルク部の熱伝導率が低いことを特徴とする試料ターゲット。
IPC (4件)：
G01N 27/64
, G01N 27/62
, H01J 49/04
, H01J 49/12
G01N27/64 B
, G01N27/62 B
, H01J49/04
, H01J49/12
2G041CA01
, 2G041DA03
, 2G041EA01
, 2G041FA09
, 2G041FA10
, 2G041FA11
, 2G041FA12
, 2G041GA06
, 2G041JA06
, 5C038EE03
, 5C038EF17
, 5C038GG07
, 5C038GH06
, 5C038GH17
