特許

J-GLOBAL ID：200903003048488077

シリコン単結晶インゴット及びその製造方法

発明者： 松原 順一 ,  三宅 雄治 ,  金剛寺 博 ,  前田 浩二
出願人/特許権者： 三菱マテリアルシリコン株式会社 ,  三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-232734
公開番号（公開出願番号）：特開平8-295593
出願日： 1995年09月11日
公開日（公表日）： 1996年11月12日
要約：

【要約】【課題】 ボトム部側直胴部の特性がトップ部側直胴部及びミドル部側直胴部の特性に近似し、高品質単結晶シリコンの製品収率が高く、直胴部の全長にわたって品質がほぼ均一なシリコン単結晶インゴットを得る。ボトム部の形状が製品ロット間でばらつきなく、同一形状に繰り返し製造し得る。【解決手段】 直胴部1の外面に対して直胴部側ボトム部2aの外面が10〜25度の傾斜角θを有しかつ連続するようにボトム部2の直径D2を制御する。

請求項（抜粋）：

実質的に一定の直径(D1)を有する直胴部(1)と前記直胴部(1)の直径(D1)を減少させることにより前記直胴部(1)に連続して形成されたボトム部(2)とを備え、前記直胴部(1)の外面に対するこの直胴部(1)に連続する直胴部側ボトム部(2a)の外面の傾斜角(θ)が10〜25度であるシリコン単結晶インゴット。

IPC (3件)：

C30B 15/20 ,  C30B 29/06 502 ,  H01L 21/208

FI (3件)：

C30B 15/20 ,  C30B 29/06 502 J ,  H01L 21/208 P

引用特許：

審査官引用 (3件)

• シリコン単結晶の引き上げ方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-143421   出願人：コマツ電子金属株式会社
• シリコン単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-132901   出願人：新日本製鐵株式会社
• 特開昭55-130895