特許

J-GLOBAL ID：200903003117027044

真空処理装置および真空処理方法

発明者： 森山 公一朗 ,  芳里 直 ,  幸田 勇蔵 ,  金井 正博
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 長尾 達也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-218395
公開番号（公開出願番号）：特開2001-098381
出願日： 2000年07月19日
公開日（公表日）： 2001年04月10日
要約：

【要約】【課題】開口調整部材の改良によってウェブと開口調整部材が接触して堆積膜が破壊されるのを防止して歩留りおよび素子特性を向上させることができ、また開口調整部材の原料ガスおよび電磁波の閉込め効果を向上させて素子特性の向上を図る。【解決手段】帯状基板に薄膜を連続して形成する堆積膜形成装置において、成膜室における前記帯状基板の入口および/または出口を構成するように配置された開口調整部材を備え、該開口調整部材の前記帯状基板と相対する面に、少なくとも1本以上の溝を該帯状基板の搬送方向に概略平行に形成する。

請求項（抜粋）：

減圧可能な真空容器と前記真空容器内に設けられた成膜室とを有し、帯状基板を成膜室の一部を構成するようにして成膜室内部に設けられた放電領域の中を連続的に通過させ、前記帯状基板に薄膜を連続して形成する堆積膜形成装置等の真空処理装置において、前記成膜室が、該成膜室における前記帯状基板の入口および/または出口を構成するように配置された開口調整部材を備え、該開口調整部材の前記帯状基板と相対する面に、少なくとも1本以上の溝が該帯状基板の搬送方向に概略平行に形成されていることを特徴とする堆積膜形成装置等の真空処理装置。

IPC (4件)：

C23C 16/54 ,  C23C 14/34 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/50

FI (5件)：

C23C 16/54 ,  C23C 14/34 V ,  C23C 14/34 J ,  C23C 16/44 F ,  C23C 16/50

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 堆積膜形成方法、半導体素子の製造方法、及び光電変換素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-056624   出願人：キヤノン株式会社
• 堆積膜形成方法及び堆積膜形成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-350359   出願人：キヤノン株式会社