特許

J-GLOBAL ID：200903003132888250

シリコンウェーハの熱処理方法

発明者： 佐藤 淳 ,  芳野 史朗 ,  元浦 久実
出願人/特許権者： コマツ電子金属株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-061640
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232325
出願日： 1996年02月26日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：

【要約】【課題】 MOSデバイス製造工程の最終段階においてもシリコンウェーハの酸化膜耐圧特性を所定の値に維持することが可能な、シリコンウェーハの熱処理方法を提供する。【解決手段】 MOSデバイス製造用シリコンウェーハに対し、ゲート酸化膜形成の直前に水素雰囲気下または水素と不活性ガスの混合ガス雰囲気下で、処理温度950°C〜1200°C、処理時間1〜60秒の熱処理(以下水素処理という)を行う。この水素処理は赤外ランプを用いることにより、短時間で完了する。短時間水素処理により、酸化膜耐圧は向上するが、その後のSC-1洗浄や犠牲酸化により表層が除去されるため酸化膜耐圧も低下する。そこで、ゲート酸化膜形成工程の直前に水素処理を行えば、デバイス製造工程の最終段階においても酸化膜耐圧が低下しない。

請求項（抜粋）：

MOSデバイス製造用シリコンウェーハに対し、ゲート酸化膜形成の直前に水素雰囲気下または水素と不活性ガスの混合ガス雰囲気下で、処理温度950°C〜1200°C、処理時間1〜60秒の熱処理を行うことを特徴とするシリコンウェーハの熱処理方法。

IPC (4件)：

H01L 21/322 ,  H01L 21/26 ,  H01L 21/316 ,  H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 21/322 Y ,  H01L 21/316 P ,  H01L 21/26 L ,  H01L 29/78 301 F

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭61-193456
  
• シリコンウェーハの熱処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-135067   出願人：コマツ電子金属株式会社
• シリコンウェーハの熱処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-209280   出願人：コマツ電子金属株式会社