特許
J-GLOBAL ID：200903003147201103

ケイ素含有膜の周期的プラズマ化学気相堆積

発明者：
ハリーシュ スリダンダム

ハリーシュ スリダンダム について

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マンチャオ シャオ

マンチャオ シャオ について

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シンジアン レイ

シンジアン レイ について

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トーマス リチャード ガフニー

トーマス リチャード ガフニー について

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ユージーン ジョセフ カーワッキ,ジュニア

ユージーン ジョセフ カーワッキ,ジュニア について


出願人/特許権者：
エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッド

エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッド について


代理人 (6件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  永坂 友康 ,  小林 良博 ,  出野 知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-043910
公開番号（公開出願番号）：特開2008-258591
出願日： 2008年02月26日
公開日（公表日）： 2008年10月23日
要約：
【課題】熱化学気相堆積の膜に比較してエッチング速度、水素濃度、およびストレスなどの改善された特性を有する膜を与える方法の提供。【解決手段】Si-H3を有するアルキルアミノシラン、好ましくは式(R1R2N)SiH3、(ここでR1およびR2は独立してC2からC10から選ばれる。)および窒素源もしくは酸素源、好ましくはアンモニアもしくは酸素、から窒化ケイ素、炭窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、シリコンカルボキシナイトライドおよび炭素をドープした酸化ケイ素を、周期的リモートプラズマ化学気相堆積方法、又はリモートプラズマ原子層堆積方法、で膜形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
窒化ケイ素、炭窒化ケイ素、酸窒化ケイ素およびシリコンカルボキシナイトライドを半導体基材上に堆積する方法であって、 a.窒素含有源を、加熱された基材と、リモートプラズマ条件の下で、窒素含有源の少なくとも一部が加熱された基材に吸収されるように接触させること、 b.吸収されなかった窒素含有源をパージすること、 c.加熱された基材を、1つまたはそれ以上のSi-H3断片を有するケイ素含有源と接触させ、吸着された窒素含有源と反応させること(ここでケイ素含有源は、下記の基の1つまたはそれ以上からなる群から選ばれた1つまたはそれ以上のH3Si-NR02基(R0はSiH3、R、R1またはR2であり、以下に定義される。)を含んでおり、
IPC (4件)：
H01L 21/318 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/314 ,  C23C 16/42
FI (4件)：
H01L21/318 B ,  H01L21/312 C ,  H01L21/314 A ,  C23C16/42
Fターム (38件)：
4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA10 ,  4K030AA13 ,  4K030AA14 ,  4K030AA18 ,  4K030AA24 ,  4K030BA40 ,  4K030BA44 ,  4K030BA48 ,  4K030FA04 ,  4K030HA01 ,  4K030JA10 ,  4K030LA15 ,  5F058AC03 ,  5F058AD05 ,  5F058AF01 ,  5F058AF02 ,  5F058AF04 ,  5F058BA20 ,  5F058BB10 ,  5F058BC02 ,  5F058BC04 ,  5F058BC08 ,  5F058BC11 ,  5F058BC20 ,  5F058BD04 ,  5F058BD06 ,  5F058BD10 ,  5F058BD15 ,  5F058BD18 ,  5F058BF02 ,  5F058BF04 ,  5F058BF06 ,  5F058BF07 ,  5F058BF27 ,  5F058BF37 ,  5F058BF46
引用特許：
出願人引用 (24件)
  • 米国特許出願公開第2003/0020111号明細書
  • 米国特許第6391803号明細書
  • 米国特許第5976991号明細書
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審査官引用 (2件)

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