特許
J-GLOBAL ID：200903003149780020
太陽電池及び太陽電池の製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
千葉 剛宏
, 宮寺 利幸
, 鹿島 直樹
, 田久保 泰夫
, 大内 秀治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-140646
公開番号（公開出願番号）：特開2009-289955
出願日： 2008年05月29日
公開日（公表日）： 2009年12月10日
要約：
【課題】カルコパイライト型太陽電池の特性の改善に寄与する界面層を均一に、また、適切な膜厚で形成することができ、裏面電極の抵抗上昇の抑制、光吸収層との界面剥離の抑制を両立しながら光電変換効率を向上させる。【解決手段】太陽電池は、ガラス基板12と、該ガラス基板12上に形成され、裏面電極となる裏面電極層14と、該裏面電極層14上に形成されたCIGS光吸収層16と、該CIGS光吸収層16上に緩衝層18を介して形成された透明電極層20とを有する。裏面電極層14は、第1電極層14aと、該第1電極層14a上に形成された酸素を含む第2電極層14bとを有する。さらに、CIGS光吸収層16と裏面電極層14の第2電極層14bとの間に、第2電極層14bを構成する金属とCIGS光吸収層16を構成するセレンとの反応層22が介在されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
裏面電極層と、
前記裏面電極層上に形成されたCIGS光吸収層と、
前記CIGS光吸収層上に緩衝層を介して形成された透明電極とを有し、
前記裏面電極層は、第1電極層と、該第1電極層上に形成された酸素を含む第2電極層とを有し、
前記CIGS光吸収層と前記裏面電極層の前記第2電極層との間に、前記第2電極層を構成する金属と前記CIGS光吸収層を構成するセレンとの反応層が介在されていることを特徴とする太陽電池。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (5件)：
5F051AA10
, 5F051CB15
, 5F051FA02
, 5F051FA06
, 5F051GA03
出願人引用 (3件)
-
特許第3876440号公報
-
化合物太陽電池及びその製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2004-185937
出願人：独立行政法人産業技術総合研究所
-
薄膜太陽電池
公報種別：公開公報
出願番号：特願平9-325801
出願人：松下電器産業株式会社
審査官引用 (1件)
-
薄膜太陽電池
公報種別：公開公報
出願番号：特願平9-325801
出願人：松下電器産業株式会社
前のページに戻る
