化合物太陽電池及びその製造方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-185937
公開番号（公開出願番号）：特開2006-013028
出願日： 2004年06月24日
公開日（公表日）： 2006年01月12日
要約：

【課題】変換効率が高いCIGS太陽電池を提供することを目的とする。【解決手段】基板上に背面の金属電極及びp型CIGS半導体からなる光吸収層をこの順に設けたCIGS化合物太陽電池において、上記光吸収層と上記背面の金属電極との間にZnOを主成分とするp型もしくは低キャリア濃度n型の半導体層を設けたことを特徴とする。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

基板上に背面の金属電極及びp型CIGS半導体からなる光吸収層をこの順に設けた太陽電池において、上記光吸収層と上記背面の金属電極との間にZnOを主成分とするp型もしくは低キャリア濃度n型の半導体層を設けたことを特徴とする太陽電池。

IPC (1件)：

H01L 31/04

FI (1件)：

H01L31/04 E

Fターム (13件)：

5F051AA09 , 5F051AA10 , 5F051CA05 , 5F051CB15 , 5F051CB18 , 5F051CB27 , 5F051DA07 , 5F051DA20 , 5F051FA02 , 5F051FA06 , 5F051FA17 , 5F051FA30 , 5F051HA03

引用特許：

出願人引用 (1件)

太陽電池
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-057481 出願人：松下電器産業株式会社

審査官引用 (5件)

光起電力装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-347268 出願人：株式会社リコー
光起電力素子用裏面反射層及びその形成方法並びに光起電力素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-199343 出願人：キヤノン株式会社
光起電力素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-107045 出願人：キヤノン株式会社

全件表示

前のページに戻る